这一年来有关国内公司进军内存产业的消息甚嚣尘上，紫光公司凭借原有的英飞凌、奇梦达基础在 DDR3 内存上已经作出了突破，小批量生产了 DDR3 内存，下半年还会推出更主流的 DDR4 内存芯片，正在努力追赶国际主流水平。

但是放眼整个内存市场，DDR5 内存很快就要来了，更可怕的是未来即便是 DDR5 内存也很可能被更新的技术淘汰，业界已经有人提出了 DDR 内存将死的看法，未来需要高带宽的产品将转向 HBM 内存，2020 年会有 HBM 3 内存，2024 年则会有 HBM 4 内存，届时带宽可达 8TB/s，单插槽容量可达 512GB。

对于 HBM 内存，DIY 玩家可以说也是相当熟悉了，AMD 在 2015 年的 Fury 系列显卡上首次商用第一代 HBM 技术，超高的带宽、超低的面积占用彻底改变了当时的显卡设计，随后 NVIDIA 在 Tesla P100 上商用了 HBM 2 技术，不过消费级市场上使用 HBM 2 技术还是 AMD 去年的 RX Vega 显卡，但是因为 HBM 2 显存的成本太过昂贵，RX Vega 上实际上使用了两组 4GB HBM 2，等效位宽比第一代减少一半，尽管频率大幅提升，所以实际带宽反而低了一些。

见识过 HBM 的玩家对该技术肯定印象深刻，那么未来它又该如何发展呢？HPE（惠普企业级）公司的 Nicolas Dube 日前分享了他的一些观点，在他看来 DDR 内存要走到尽头了（DDR is Over），特别是一些需求高带宽的场合中。

根据他分享的一些数据，HBM 2 内存将在 2018 年大量应用，HBM 3 将在 2020 年左右应用，改进版的 HBM 3+ 技术在 2022 年应用，2024 年则会有 HBM 4 内存，带宽及容量也会逐级增长，比如现在的 HBM 2 内存，核心容量可达 8Gb，通过 TSV 技术可以实现每个 CPU 支持 64GB HBM2 内存，每路插槽的带宽可达 2TB/s，而到了 HBM 4 时代，每个 CPU 支持的容量可达 512GB，带宽超过 8TB/s。作为对比的话，目前 AMD 的 EPYC 处理器支持 8 通道 DDR4 内存，虽然最高容量能达到 2TB，但是带宽不过 150GB/s 左右，与 HBM 内存相比就差远了。

按照他的观点，在一些需要高带宽的场合中，HBM 技术无疑远胜 DDR 内存，所以他说的 DDR 内存将死在这方面是成立的，比如 HPC 高性能计算机行业就非常需要 HBM。不过话说回来，DDR 将死这个判断并不适合桌面市场，HBM 技术虽然各种好，但是现在来看成本问题一时半会都没法解决 .

目前能生产 HBM 内存的厂商只有三星、SK Hynix，美光因为有 HMC 技术，对 HBM 并不怎么热心，所以 HBM 降低成本的过程将是漫长的，对桌面级玩家来说 DDR4 很长一段时间内都不会过时，2020 年左右会开始推 DDR5 内存，所以三五年内我们是看不到 DDR 内存被 HBM 干掉的可能的。