三星新显存GDDR6,将让显卡更加疯狂

作者:Z淘 评论:0次

2018年CES展期将至,近日开始公布创新奖得奖产品,身为全球最大的信息科技公司三星电子,当然也有不少产品获得奖项。在消费性电子产品之外,该公司GDDR6内存也得到了创新奖的肯定,让看热闹的外行也可以稍微窥视其规格信息。

GDDR6为目前广泛使用的GDDR5显示内存的下一世代产品,将根据DDR4的技术规格进行延伸,因此也会额外需要供应Vpp电压,而GDDR5X则为Micron镁光独立制造并销售的GDDR5加强型产品,且大部分都为NVIDIA高端显卡所使用,GDDR5和GDDR5X速度分别约为7~8Gbps和10~12Gbps左右。此外还有HBM与HBM2内存,消费市场上主要使用对象以AMD的高端显卡为主,但因为此类内存比较不追求高速度,而是追求更宽的数据传输位信道,与显示芯片需要使用载板(interposer)相互连接后再封装至基板,与GDDR5和GDDR5X能够通过电路板和显示芯片连接相比,制造难度比较高也比较贵。

三星的GDDR6获得CES创新奖项,连带稍微掀开该产品规格信息的神秘面纱

近日CES开始公布创新奖得奖名单,Samsung制造的GDDR6显示内存也在名单之列,根据该公司新闻稿声称,GDDR6传输速度已可达16Gbps,单一封装芯片32bit信道宽度即为64GB/s,为目前GDDR5的2倍之谱,也超越GDDR5X的传输速度,为下一世代显卡提供足够的存取频宽,单颗封装容量有望从8Gb起跳,对于AMD来说也不必再使用比较贵又比较麻烦的HBM2。

GDDR6电压将从GDDR5的1.5V降至1.35V,更为省电也是内存世代更迭的重要目标之一。根据市场消息,GDDR6看来会在2017年底至2018年开始正式量产,AMD的Navi和NVIDIA的Volta可望率先使用。当然除了Samsung之外,SK hynix、Micron等内存制造大厂也会投身GDDR6的制造之列。

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